第三章 存储系统
3.1 存储系统概述
3.1.1 存储器的分类
按存储介质分类： 半导体：TTL型，MOS型；磁性材料；光介质。
按存取方式分类：
RAM（随机存储器）,SAM(顺序存储存储器)，DAM(直接存储存储器)，ROM(只读存储器)
按应用功能分类：
主存储器（MM)
快速的存取速度，通常由MOS型半导体RAM构成，由于价格较贵，所以一般容量不高。
辅助存储器
容量巨大，存取速度一般，由磁性材质或光介质DAM构成，即硬盘。
Cache(高速缓冲存储器)
介于CPU和主存之间，比主存还快，常由MOS型半导体静态RAM构成
Control Storage（控制存储器）
用于存放解释机器语言指令的微程序，位于CPU内部，由MOS型半导体ROM构成。
3.1.2存储器的主要技术指标
存储容量
存取速度：
存取时间：存储器从启动一次存储器操作（读或者写）到完成该操作所需的时间
存取周期：连续进行两次存储器操作的最短间隔
传输速度：
存储器带宽：单位时间里存储器所存取的信息量，也称为存储器在单位时间内读出/写入的位数或字节数
3.1.3层次结构存储系统
由于时间局部性和空间局部性，我们可以得出存储器需求矛盾的一个解决方案：将近期访问的信息存放在前方的小容量、快速存储器中，而将近期未访问的信息存放在后方的大容量、慢速的存储器中，前后方存储器可以交换信息。
3.2半导体存储技术
3.2.1 SRAM静态存储器（触发器）
存储矩阵、地址译码器，I/O门、读写电路和控制电路组成
片选信号，低电平有效
读写引脚，低电平为读
容量s=存储单元个数×存储单元长度
数据引脚个数：位数
地址引脚个数：存储字数（w/位）
存储周期：
3.2.2 DRAM动态存储器（MOS）（需要刷新）
采用引脚复用技术，地址由行地址和列地址组成，地址分两次送入DRAM，地址引脚只有实际地址位数的一半。主要由存储矩阵、地址译码器（行、列）、读写电路组成，与SRAM相比，增加了地址锁存器（保存先进入的行地址）、时序控制电路、再生电路（刷新）
行地址选通信号，整个读写周期有效，可替代
列地址选通信号
地址引脚个数：（存储字数）/2
读写周期：
行刷新：见名词解释
