EMI仿真，把电脑算死机了2次，黑屏1次，麦克斯韦真是厉害。计算量真大。
大家一起共同进步，先上一张效果图装装x。
1. 和前面DDR SI仿真一样，启动SPEED Generator，load layout file。
2. 我这个DDR内存条上下游2个没用的层，我先删掉，双击右边layer区域或者左边check stackup跳出stack窗口删除
3. 先删除系统自带的观测点，太多了。选择左边monitor component voltage，ctrl+A选中跳出的窗口下面的观测点，全删掉，点击OK。
4. 选择要仿真的信号，在net manager窗口先右键disable all nets，再搜索想要仿真的信号，右键enable；enable power 和 gnd，设置VDD的电压值为1.5V，pair net 为GND，如图。
5. 设置器件，setup选择component manager，右键enable U9和J1，即DQ14/TDQ14的发送接收端。（应该自动enable的，我软件没有自动enable，就手动enable一下了）
6. 设置器件IBIS模型，点击edit，再点击edit IBIS，选中准备好的IBIS模型ctrl.ibis。
7. 设置TDQ14参数，选中TDQ14，设置enable列为输出output，package mode为Pin RLC；选择stimulus为new，会自动弹出new model对话框，设置参数如图；V1_1 1 2 RANDOM_BIT ( 0V 1.5V DATA_RATE = 1.333g POLY = 5 TR = 0.1n TF = 0.1n )；发送端勾上Sgn Mon。
8. 设置U0 IBIS模型，选择dram.ibis，输入端参数较少，按照发送端操作设置好参数，如图。
9. 设置观测点，点击左侧monitor component voltage，点击鼠标左键选择观测点左边信号，鼠标右键选择右边信号，然后点击add，观测点自己随意添加
10. 选择仿真时间，EMI计算时间较长，我只选5ns了，快一些。
11. 生成仿真网格，点击automatice...
12. 选择仿真频率
13. 忘了enable base mode，再save一下，然后点击开始仿真
14. 仿真结果查看，在setup选择信号，我们选择TDQ14，然后选择所有层
15. FCC图标设置，选择周期性，每次的周期，以及到周期的多少倍频，点击apply，如图
Ev 表示垂直方向的辐射强度吗，Eh表示水平方向的辐射强度
16. 还有这种形式的，不过看不懂，需要学习一下
17. PCB形式，我们可以选择查看100MHz和1G的辐射强度，设置如图所示，计算需要一会，我们可以查看各个面的辐射
